Art. 900IRFB4110

IRFB4110 TRANSISTOR HEXFET CANAL N 180A 100V

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IRFB4110 TRANSISTOR - TO-220AB

 
TRANSISTOR MOSFET N 100V 130A TO-220AB
 
Tipo de transistor; N-MOSFET Tecnología: HEXFET® Polarización: unipolar Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 130A Poder disipado: 370W Carcasa : TO220 Tensión puerta-fuente: ±20V Resistencia en estado de transferencia: 4.5mO Carga de puerta: 150nC 
 
 
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