Tipo de transistor; N-MOSFET Tecnología: HEXFET® Polarización: unipolar Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 130A Poder disipado: 370W Carcasa : TO220 Tensión puerta-fuente: ±20V Resistencia en estado de transferencia: 4.5mO Carga de puerta: 150nC
Las marcas registradas y el nombre comercial son propiedad de sus propietarios respectivos, y sólo se utilizan para mostrar la compatibilidad entre nuestros productos y los productos de los fabricantes.
En el esfuerzo de una mejora constante de nuestros productos, es posible que el aspecto exterior del producto difiera ligeramente de las imágenes. Las imágenes sólo son a título ilustrativo.
IRFB4110 TRANSISTOR - TO-220AB
En el esfuerzo de una mejora constante de nuestros productos, es posible que el aspecto exterior del producto difiera ligeramente de las imágenes. Las imágenes sólo son a título ilustrativo.